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贝尔实验室的研究可以延长硅基芯片的预期寿命

2019-08-08     来源:太原市人民政府         内容标签:贝尔,实验室,的,研究,可以,延长,硅基,芯片,

导读:贝尔实验室的研究可能延长硅基芯片的预期寿命TomForemski朗讯科技贝尔实验室的研究人员表示,他们已经取得了一项重大突破,将延长目前硅基芯片的使用寿命。研究人员表示,与现有的

贝尔实验室的研究可能延长硅基芯片的预期寿命TomForemski朗讯科技贝尔实验室的研究人员表示,他们已经取得了一项重大突破,将延长目前硅基芯片的使用寿命。研究人员表示,与现有的25个原子层相比,他们设法制造了厚度仅为5个原子的二氧化硅绝缘层。他们已经证明,四层厚度是工作芯片可能的最小层。“扩大二氧化硅的基本物理极限,使半导体行业有更多时间开发替代绝缘层,”贝尔实验室研究员DavidMuller说。他估计,到2012年,如果设备密度增加将继续保持目前水平,芯片行业将不得不寻找新的芯片技术。朗讯声称,这一突破将把芯片技术的当前寿命从大约六年延长到十二年以上。

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