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英国有头奖彩票下载新型SiGe晶体管

2019-08-07     来源:太原市人民政府         内容标签:英,国有,,新型,SiGe,晶体管,这

导读:这一发展是一项为期七年的EPSRC项目的成果之一,该项目旨在寻找改进传统CMOS的新方法。从电路的角度来看,它应该是一个优化的结构,“剑桥大学的DouglasPaul博士说。上图显示了应变硅

这一发展是一项为期七年的EPSRC项目的成果之一,该项目旨在寻找改进传统CMOS的新方法。

从电路的角度来看,它应该是一个优化的结构,“剑桥大学的DouglasPaul博士说。

上图显示了应变硅中埋入沟道结构(红色曲线)的结果。与同一材料系统中的标准晶体管(黑色)相比。

结构用0.25μmCMOS演示。保罗说,主要问题是在加工温度下锗扩散到栅氧化层中的增加。与表面沟道应变硅相比,结果是n沟道性能下降。

九大学的异质结MOS结构项目开发了现在标准的应变硅用途,以改善晶体管中的载流子迁移率栅极长度非常短。在这些成就中,CMOS中的nMOS和pMOS器件的ION电流均提高了100%。

然而,不是专注于缩小栅极,而是将重点放在使用先进的基板上,例如,0.25μm工艺。

“工业界面临的问题是,随着工艺规模缩小,栅极长度低于100nm,氧化物厚度低于2nm,您开始降低移动性对于栅极氧化物之间的相互作用,“保罗解释道。

英特尔和IBM以及其他公司正在推动路线图的前沿,试图制造越来越小的晶体管。我们采用的方法是使用略微放松的几何形状,并证明只需放入应变硅晶片就可以获得一代或两代技术。“

部分研究使用了非常高的质量使用称为低能等离子体增强化学气相沉积(LEPECVD)的技术生长的应变硅衬底。这些晶圆最初由苏黎世ETH技术研究所的HansvonKänel教授开发,比传统基板更加平滑。

VonKänel,现在意大利米兰理工大学,是SiGe的首席技术官晶圆专家EpiSpeed。瑞士公司Unaxis也在开发基于vonKänel的LEPECVD工艺的生产系统。

www.epispeed.comwww.semiconductors.unaxis.com

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